Провідність напівпровідників зумовлена рухом вільних електронів (електронна провідність) і рухом дірок (діркова провідність). У чистому напівпровіднику електричний струм створюється однаковою кількістю вільних електронів і дірок. Таку провідність називають власною провідністю напівпровідників.

У разі введення в напівпровідник домішки з більшою валентністю (донорної домішки) вільних електронів стає в багато разів більше, ніж дірок. Напівпровідники з переважно електронною провідністю називають напівпровідниками n-типу. У разі введення в напівпровідник домішки з меншою валентністю (акцепторної домішки) дірок стає більше, ніж вільних електронів. Напівпровідники з переважно дірковою провідністю називають напівпровідниками р-типу.

Якщо напівпровідник має дві зони з різними типами провідності, то на межі цих зон утворюється n-р-перехід, який має однобічну провідність електричного струму. Здатність n-р-переходу пропускати струм практично тільки в одному напрямку використовують у пристроях, які називаються напівпровідниковими діодами.

Напівпровідники широко використовують у техніці, наприклад для виготовлення термісторів і фоторезисторів. Напівпровідникові прилади з двома n-р-переходами називають транзисторами. Особливості будови транзистора дозволяють використовувати його як підсилювач сигналів і електронний ключ.